Ø 个人基本信息：
张杰，女，博士，讲师。现为常熟理工学院电子信息工程学院教师。从2016年～至今，一直在高校从事基础教学工作，主要讲授电磁场与电磁波、电工技术、大学物理等课程。
主要科研方向是低维功能材料制备及器件加工，以第一及通讯作者发表论文10多篇，其中8篇被国际权威检索系统SCI收录。授权发明专利3项。主持国家自然科学基金青年基金项目一项。参与科技部国际合作项目一项。
Ø 研究方向：
低维功能材料制备及器件加工
Ø 教科研项目：
1. 科技部国际合作项目“相变存储芯片关键技术的合作研发”，参与。
2. 国家自然科学基金项目“Ge-Sb-Te相变纳米线的掺杂改性及其相变机理研究”，主持。
Ø 教科研论文：
1. Zhang J, Liu JJ. Two-dimensional perovskite Sr2Nb3O10 nanosheets meet CuZnS film: Facile fabrications and applications for high-performance self-powered UV photodetectors [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2022, 908, 164594.
2. Liu JJ, Zhang J*. Fabrication of two Se/CsPbBr3 heterojunctions structures for self-powered UV–visible photodetectors [J]. RSC Advances, 2022, 12, 33780–33788.
3. Zhang J, Liu JJ. In situ construction of a Te/CsPbBr3 heterojunction for self-powered photodetector [J]. RSC Advances, 2022, 12, 2729–2735.
4. Zhang J, Yu HL, Wei FF, Dong YJ, Shao ZG, Liu YS. Sn tuned microstructure and phase-change characteristics of GeTe nanowires [J]. AIP Advances, 2020, 10(10), 105228 .
5. Huang R, Zhang J, Wei FF, Shi L, Kong T, Cheng GS. Ultrahigh responsivity of ternary Sb-Bi-Se nanowire photodetectors [J]. Advanced Functional Materials, 2014, 24, 3581-3586.
6. Zhang J, Kong T, Huang R, Wei FF, Cheng GS. Bismuth doping strategies in GeTe nanowires to promote high-temperature phase transition from rhombohedral to face-centered cubic structure [J]. Applied Physics Letters, 2014, 102(20), 202103.
7. Zhang J, Huang R, Shi L, Wang L, Wei FF, Kong T, Cheng GS. Bi doping modulating structure and phase-change properties of GeTe nanowires [J]. Applied Physics Letters, 2013, 102(6), 63104.
8. Zhang J, Liu HB, Huang R, Kong T, Cheng GS. Controllable growth of InN nanostructures [J]. Journal of Nanoengineering and Nanomanufacturing, 2012, 2(2), 112-122.
Ø 授权专利、软件著作权：
1.孔涛，张杰，黄荣，卫芬芬，程国胜，一种相变存储器加热电极及相变存储器：中国，ZL201420162810.2 [P].
2.孔涛，黄荣，张杰，卫芬芬，程国胜，一种相变存储单元：中国，ZL201420072764.7 [P].
3.孔涛，黄荣，张杰，卫芬芬，程国胜，相变存储器存储单元结构：中国，ZL201420161782.2 [P].
Ø 联系邮箱：
zj2016@cslg.edu.cn
